Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.
БастыӨнімдерӨнеркәсіптік смарт модуль керек-жарақтарыDDR3 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары

DDR3 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары

Төлем түрі:
L/C,T/T,D/A
Инкотерм:
FOB,EXW,CIF
Мин. Тапсырыс:
1 Piece/Pieces
Көлік:
Ocean,Air,Express,Land
  • Өнім Сипаттамасы
Overview
Өнім төлсипаттары

Модель нөміріNSO4GU3AB

Жеткізу мүмкіндігі жә...

КөлікOcean,Air,Express,Land

Төлем түріL/C,T/T,D/A

ИнкотермFOB,EXW,CIF

Қаптама және жеткізу
Сату бірліктері:
Piece/Pieces

4GB 1600MHZ 240-PIN DDR3 UDIMM


Қайта қарау тарихы

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Ақпарат кестесіне тапсырыс беру

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Түсіндірме
HENGSTAR БІЛМЕЙДІ ДІНДЕГІ DDR3 SDRAM DIMMS (DRAM DRAM DRAM DRAM Драмалық драйверлі жад модульдері) - DDR3 SDRAM құрылғыларын пайдаланатын жоғары жылдамдықты жұмыс модульдері. NS04GU3AB - бұл 512M X 64 биттік екі дәрежелі, екі ранг 4GB DDR3-1600 CL11 1.5V SDRAM он алты 256 м-ден 8-биттік FBGA құрамдас бөліктері. SPD Jedec Standard Dirtency DDR3-16-16.5, 11-11-11 күндеріне дейін бағдарламаланған. Әр 240-түйреуіш DIMM алтын саусақтарын қолданады. SDRAM оқшауланбаған DIMM PCS және жұмыс станциялары сияқты жүйелерде орнатылған кезде негізгі жад ретінде пайдалануға арналған.


Ерекше өзгешеліктері
POOWER SPOW: VDD = 1.5V (1,425V-ден 1,575В-ге)
DDQ = 1.5V (1.425V-ден 1,575В-ге)
800mhz FCK 1600MB / SIC / PIN-ге арналған
8 тәуелсіз ішкі банк
Программаланатын CAS кідірісі: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Бағдарламаларға арналған қоспалар: 0, cl - 2 немесе cl - 1 сағат
8 биттік жүктеу
БРБурсттың ұзындығы: 8 (бір-бірден), бастапқы мекен-жайы бар біршама, тек бір-біріне дейін, тек 000 «тек), TCCD = 4 бар, 4-ке дейін оқуға немесе жазуға [A12 немесе MRS көмегімен ұшуға рұқсат бермейді.
Б-дің бағыты дифференциалды датчик
 СЕРТТІК (өзін-өзі) калибрлеу; ZQ PIN коды арқылы ішкі калибрлеу (RZQ: 240 Ом ± 1%)
ODT PIN-кодты қолдана отырып, қайтыс болу
average Жаңарту кезеңі 7.8US 85 ° C-тан төмен, 85 ° C-тан 3,9, 85 ° C-қа <95 ° C
asynChronous қалпына келтіру
Жетілдірілген мәліметтер-шығару дискісінің беріктігі
fly-by топологиясы
PCB: Биіктігі 1.18 «(30 мм)
Strohs үйлесімді және галогенсіз


Негізгі уақыт параметрлері

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Мекенжай кестесі

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


ПИНГ сипаттамалары

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Ескертпелер : PIN кодының сипаттамасы Төмендегі PIN-кодтың кестесі барлық DDR3 модульдері үшін барлық ықтимал түйреуіштердің тізімі болып табылады. Барлық түйреуіштер болуы мүмкін осы модульде қолдау көрсетілмейді. Осы модульге қатысты ақпарат алу үшін PIN-кодтарды қараңыз.


Функционалды блок-схема

4GB, 512MX64 модулі (X8-дің 2ран)

1


2


Ескерту:
1. Әрбір DDR3 компонентіндегі ZQ допы жерге байланған 240ω ± 1% резисторға қосылған. Ол компоненттің өлімін тоқтату және шығару драйверін калибрлеу үшін қолданылады.



Модуль Өлшемдері


Алдыңғы көрініс

3

Алдыңғы көрініс

4

Ескертулер:
1.Бір барлығы миллиметрде (дюйм); Макс / мин немесе әдеттегі (тип) белгіленеді.
2. Егер басқаша көрсетілмесе, барлық өлшемдер ± 0,15 мм.
3. өлшемді диаграмма тек анықтама үшін.

Өнім санаттары : Өнеркәсіптік смарт модуль керек-жарақтары

Осы өнімге электрондық пошта
  • *Тақырып:
  • *Кімге:
    Mr. Jummary
  • *Электрондық пошта:
  • *Хабар:
    Сіздің хабарламаңыз 20-8000 таңбадан тұруы керек
БастыӨнімдерӨнеркәсіптік смарт модуль керек-жарақтарыDDR3 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
Сұрау жіберу
*
*

Үй

Product

Phone

Біз туралы

Сұрау

Біз сізбен бірлікпен хабарласамыз

Сізбен жылдамырақ ақпарат бере алатындай көп ақпаратты толтырыңыз

Құпиялылық туралы мәлімдеме: Сіздің құпиялылығыңыз біз үшін өте маңызды. Біздің компания сіздің жеке ақпаратыңызды кез-келген экспонаттан сіздің нақты рұқсаттарыңызбен жарияламауға уәде бермейді.

Жіберу