Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

sales@angeltondal.com

86-755-89992216

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

Барлық
  • Барлық
  • Тақырып
Тіл

Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

 [Guangdong,China]

Бизнес түрі:Manufacturer , Trade Company

Сипаттама:DDR4 8GB жады,DDR4 8GB жад модулі,8GB 2666MHZ 288 PIN DDR4 UDIMM

БастыӨнімдерӨнеркәсіптік смарт модуль керек-жарақтарыDDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
DDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
  • DDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
  • DDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
  • DDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
  • DDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
  • DDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары

DDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары

Төлем түрі:
L/C,T/T,D/A
Инкотерм:
FOB,CIF,EXW
Мин. Тапсырыс:
1 Piece/Pieces
Көлік:
Ocean,Land,Air,Express
Бізбен хабарласыңыз
Share:
Қазір чат
  • Өнім Сипаттамасы
< >
Overview
Өнім төлсипаттары

Модель нөмірі: NS08GU4E8

Жеткізу мүмкіндігі жә...

Көлік: Ocean,Land,Air,Express

Төлем түрі: L/C,T/T,D/A

Инкотерм: FOB,CIF,EXW

Қаптама және жеткізу
Сату бірліктері:
Piece/Pieces

8GB 2666MHZ 288 PIN DDR4 UDIMM



Қайта қарау тарихы

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

Ақпарат кестесіне тапсырыс беру

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS08GU4E8

8GB

2666MHz

1Gx64bit

DDR4 1Gx8 *8



Түсіндірме
HENGSTAR BUDBURED DDRR4 SDRAM DIMMS (DRAM ДӘРІС ДӘРІС ДӘРІС ДӘРІС ЖАҢА ЖАЗЫЛҒАН КЕҢЕСТЕРІ) - DDR4 SDRAM құрылғыларын пайдаланатын жоғары жылдамдықты жұмыс істейтін жад модульдері. NS08GUE4E8 - бұл 1G x 64 биттік бір дәреже, 8GB DDR4-2666 CL19 1.2V SDRAM SDRAM SDRAM SDRAM SDRAM SDRAM SDRAM Сегіз 1г x 8-биттік FBGA компоненттеріне негізделген. SPD Jedec Standard Drage Dragent Mastency DDR4-2666, 19-19-19 жж. Әрбір 288 істікшелі DIMM алтын саусақтарын қолданады. SDRAM оқшауланбаған DIMM PCS және жұмыс станциялары сияқты жүйелерде орнатылған кезде негізгі жад ретінде пайдалануға арналған.

Ерекше өзгешеліктері
POER ЖАБЫС: VDD = 1.2V (1.14V-ден 1,26 В-ге дейін)
VDDQ = 1.2V (1.14V-ден 1,26 В-ге дейін)
PP - 2.5V (2.375V-ге дейін 2.75 В-ге дейін)
VDDSPD = 2.25V-ден 3,6В-ға дейін
Деректер, строб және маска сигналдары үшін люминальды және динамикалық тоқтату (ODT)
Лоу-қуатты автоматты түрде сергіту (LPASR)
Деректер автобусына арналған INATATA автобусы (DBI)
ON-Die Vrefdq greuck andult
ON-BOND I2C сериялы болуы-анықтама (SPD) EEPROM
6 ішкі банктер; Әрқайсысы 4 банктің 4 тобы
Fiftion Burst (BC) CHONS (BC) және ұзындығы 8-ден (BL) 9 режимі арқылы (MRS) режимі арқылы
selectable bc4 немесе шыбын (OTF)
DataBus Циклдік резервтік тексеруді (CRC) жазыңыз
Темпераны бақыланатын жаңарту (TCR)
Command / мекен-жайы (CA) паритеті
Dram мекен-жайына қолдау көрсетіледі
8 бит алдына дейін
fly-by топологиясы
Комбанд / мекен-жай кешіктірілуі (CAL)
Терминді басқару командасы және мекен-жайы Автобус
PCB: биіктігі 1.23 «(31,25 мм)
Гед жиек контактілері
Strohs үйлесімді және галогенсіз


Негізгі уақыт параметрлері

MT/s

tCK
(ns)

CAS Latency
(tCK)

tRCD
(ns)

tRP
(ns)

tRAS
(ns)

tRC
(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR4-2666

0.75

19

14.25

14.25

32

46.25

19-19-19

Мекенжай кестесі

Configuration

Number of
bank groups

Bank Group
Address

Bank
Address

Row Address

Column
Address

Page size

8GB(1Rx8)

4

BG0-BG1

BA0-BA1

A0-A15

A0-A9

1 KB



Функционалды блок-схема

8gb, 1gx64 модулі (X8-дің 1ран)

2-1

Ескерту:
1.Бұнай емес, тағы басқалары, резисторлы мәндер 15ω ± 5% құрайды.
2.ZQ резисторлары 240ω ± 1% құрайды. Барлық басқа резисторлардың барлық мәндері тиісті сымдар диаграммасына жатады.
3. Осы дизайн бойынша сымды_н. SPD SPD-ді де қолдануға болады. Сымды өзгертулер қажет емес.

Абсолютті максималды рейтингтер

Абсолютті максимум DC рейтингі

Symbol

Parameter

Rating

Units

NOTE

VDD

Voltage on VDD pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VDDQ

Voltage on VDDQ pin relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3

VPP

Voltage on VPP pin relative to VSS

-0.3 ~ 3.0

V

4

VIN, VOUT

Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS

-0.3 ~ 1.5

V

1,3,5

TSTG

Storage Temperature

-55 to +100

°C

1,2

Ескерту:
1. «Абсолютті максималды рейтингтер» астындағы адамдардан үлкенірек, құрылғыға тұрақты зақым келтіруі мүмкін.
Бұл стресстің рейтингі және осы спецификацияның операциялық бөлімдерінде көрсетілген осы немесе басқа жағдайларда құрылғының функционалды жұмысы қарастырылмаған. Ұзақ мерзімді кезеңдер үшін абсолютті максималды рейтингтік жағдайлар сенімділікке әсер етуі мүмкін.
2.Студент температурасы - драмның ортасында / жоғарғы жағында беткі температура. Өлшеу шарттарында JestD51-2 стандартын қараңыз.
3.vdd және VDDQ әрқашан бір-бірінен 300 МВ-да болуы керек; vDD және VDDQ 500 МВ-дан аз болған кезде VREFCA 0,6 x VDDQ-тан аспауы керек; VREFCA 300 МВ-дан кем немесе одан аз болуы мүмкін.
4.vpp VDD / VDDQ-тен тең немесе одан үлкен болуы керек.
5.Сіздің 1.5V жоғары ауданы DDR4 құрылғысында көрсетілген .

Драмалық компонент Жұмыс температурасының диапазоны

Symbol

Parameter

Rating

Units

Notes

TOPER

Normal Operating Temperature Range

0 to 85

°C

1,2

Extended Temperature Range

85 to 95

°C

1,3

Ескертулер:
1. Температура Тоқымасы - драманың ортасында / жоғарғы жағында орналасқан беткі температура. Өлшеу шарттарында Jedec Document jeedec құжатын қараңыз.
2. Қалыпты температура диапазоны барлық драмалық сипаттамаларға қолдау көрсетілетін температураны анықтайды. Жұмыс барысында драмалық температураны барлық жұмыс жағдайында 0 - 85 ° C аралығында ұстау керек.
3.Сесек қосымшалары 85 ° C және 95 ° C-қа дейінгі температура бойынша ұзартылған температура диапазонында жұмыс істеуді қажет етеді. Толық техникалық сипаттамалар осы ауқымда кепілдендірілген, бірақ келесі қосымша шарттар қолданылады:
а). Жаңарту командаларын жиілікпен екі есе көбейту керек, сондықтан сергіту аралық тротиді 3,9 мкс-ке дейін азайтады. Сондай-ақ, ұзартылған температура диапазонында 1x жаңарту (TEFI 7,8 мк) компонентті көрсетуге болады. Опцияның қол жетімділігі үшін DIMM SPD бөлімін қараңыз.
ә). Егер өзін-өзі жаңарту әрекеті кеңейтілген температура диапазонында қажет болса, онда ол қолмен өзін-өзі жаңарту режимін кеңейтілген температура диапазонының мүмкіндіктері бар (MR2 A6 = 0B және MR2 A7 = 1B) немесе қосымша өзін-өзі жаңартуды қосу керек режимі (MR2 A6 = 1B және MR2 MR2 A7 = 0B).


Айнымалы ток және тұрақты ток жұмыс шарттары

Ұсынылатын тұрақты ток шарттары

Symbol

Parameter

Rating

Unit

NOTE

Min.

Typ.

Max.

VDD

Supply Voltage

1.14

1.2

1.26

V

1,2,3

VDDQ

Supply Voltage for Output

1.14

1.2

1.26

V

VPP

Supply Voltage for DRAM Activating

2.375

2.5

2.75

V

3

Ескертулер:
1. Вддк барлық жағдайларда VDD-ден аз немесе оған тең болуы керек.
2. VDD-мен ВDDQ тректері. Айнымалы ток параметрлері VDD және VDDQ-мен бірге өлшенеді.
3.DC өткізу қабілеттілігі 20 МГцпен шектелген.

Модуль Өлшемдері

Алдыңғы көрініс

2-2

Артқы көрініс

2-3

Ескертулер:
1.Бір барлығы миллиметрде (дюйм); Макс / мин немесе әдеттегі (тип) белгіленеді.
2. Егер басқаша көрсетілмесе, барлық өлшемдер ± 0,15 мм.
3. өлшемді диаграмма тек анықтама үшін.

Өнім санаттары : Өнеркәсіптік смарт модуль керек-жарақтары

Ыстық өнімдер
Осы өнімге электрондық пошта
  • *Тақырып:
  • *Кімге:
    Mr. Jummary
  • *Электрондық пошта:
  • *Хабар:
    Сіздің хабарламаңыз 20-8000 таңбадан тұруы керек
Contact Now
БастыӨнімдерӨнеркәсіптік смарт модуль керек-жарақтарыDDR4 UDIMM жад модулінің техникалық сипаттамалары
Сұрау жіберу
*
*

Үй

Product

Phone

Біз туралы

Сұрау
Send Message

Құпиялылық туралы мәлімдеме: Сіздің құпиялылығыңыз біз үшін өте маңызды. Біздің компания сіздің жеке ақпаратыңызды кез-келген экспонаттан сіздің нақты рұқсаттарыңызбен жарияламауға уәде бермейді.

Біз сізбен бірлікпен хабарласамыз

Сізбен жылдамырақ ақпарат бере алатындай көп ақпаратты толтырыңыз

Құпиялылық туралы мәлімдеме: Сіздің құпиялылығыңыз біз үшін өте маңызды. Біздің компания сіздің жеке ақпаратыңызды кез-келген экспонаттан сіздің нақты рұқсаттарыңызбен жарияламауға уәде бермейді.

Тіркемені жүктеу
Жіберу